本文以低温下直接在玻璃衬底上大面积制备μc-Si薄膜为研究目标，发展了已开发的装置简单、能够产生大面积、高均匀度和高电子密......

利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭......

介绍了一种基于溶液的廉价制备Al诱导晶化多晶硅薄膜的方法.先以低压化学气相沉积（LPCVD）方法制备50nm厚的非晶硅（amorphous silicon,......

采用真空热蒸发与PECVD方法，在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a-Si:H复合薄膜，并利用扫描电子显微镜，X射线衍射，Raman......

采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅（a-Si）薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同（分别为50和100nm......

采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍......

氢化非晶硅碳材料(a-Si1-xCx：H)是一种宽带隙非晶半导体材料，其光学带隙可以通过组分调制的，人们可以根据不同的应用目的制备出不同光......