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本文以低温下直接在玻璃衬底上大面积制备μc-Si薄膜为研究目标，发展了已开发的装置简单、能够产生大面积、高均匀度和高电子密度等离子体的电感耦合射频等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)技术，创造性地引入了Al诱导晶化技术。主要开展了以下方面的工作：
利用ICP-CVD在镀Al玻璃衬底上直接制备出性能优良的μc-Si薄膜。研究了制备工艺参数对薄膜微结构的影响，发现在衬底温度低于350℃，不能得到μc-Si薄膜。
Al在薄膜生长过程中起到了诱导晶化作用，使得Si的成核能降低。首次提出了在Si薄膜生长中Al诱导晶化的可能机制，随着含Si原子团的不断吸附，Si在Al中达到饱和、析出并在合适位置成核，从而在固溶体上形核长大，最终得到μc-Si薄膜。