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铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究
本文通过直流反应磁控溅射,采用Al+N共掺的方法在N2O-O2气氛下制备p型ZnO薄膜.结果表明,衬底温度为500 ℃时共掺所得p型ZnO的载流......
期刊
电学性能
ZnO薄膜
掺氮
迁移率
载流子浓度
衬底温度
直流反应磁控溅射
个数
空穴
数量级
ZnO films
p-type conduction
Al+N
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