ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度，比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善......