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n型AlAs/GaAlAs量子阱子带间正入射吸收跃迁振子强度
对n型电子有效质量各向异性半导体量子阱,给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式.这种子带间的跃迁有束缚基态到束缚的激发态的......
期刊
量子阱结构
AlAs/GaAlAs
振子强度
正入射
半导体量子阱
阱宽
红外探测器
电子能
子带
扩展态
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