对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾，介绍了在ＳｕｐｒｅｍⅣ中采用的双Ｐｅａｒｓｏｎ分布模型。通过对Ｂ＾＋及Ａｓ＾＋在不同剂量和能量下对硅中的注入......

剂量为1×10~(15)cm~(-2)的10keV B~+和45keV BF_2~+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的......

用四探针法，扩展电阻法，背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＾＋／Ｂ＾＋双注入单晶硅的快速热退火行为。......

在传统的块级持续数据保护(continuous data protection,CDP)系统中,过去某时间点的恢复任务一旦完成,被保护磁盘当前时刻的数据状......