C掺杂相关论文
以钛片为基底材料,采用阳极氧化法刻蚀纳米二氧化钛(TiO2)管阵列,并进行二次阳极氧化获得排列规整的管阵列。以葡萄糖为碳源通过高......
以Ti板为基材,NH4F的乙二醇溶液为阳极氧化电解液,采用二次阳极氧化法成功制备了TiO2纳米管/Ti,以葡萄糖为碳源、采用高压水热反应......
本文采用新型发泡辅助法和传统化学气相沉积法,分别制备了C/TiO2微板以及C/TiO2无定形膜。C/TiO2微板用于液相降解,以苯酚作为模拟......
会议
随着社会的发展,人们对环境保护也越来越重视。传统的有机废水处理方法具有副产物较多,后处理复杂,易造成二次污染等弊端,其局限性......
热地成年的非结晶的 SiO2 (a-SiO2 ) 电影与 100 keV C 离子在房间温度(RT ) 被植入到 5.0 吗？？...
随着全球能源和环境问题不断加重,开发一种既不依赖于化石燃料又不排放污染气体的可再生能源势在必行。目前,利用太阳光和半导体进......
学位
研究了不同芯数(单芯、6芯和12芯)的C掺杂MgB2超导线材的失超特性.在制冷机环境(20K)下测量了C掺杂MgB2超导线材样品在自场下的最......
用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂,并利用XPS,XRD,TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子注入He行为的影响.结果表明,掺杂的C在Al表......
随着自旋电子学的发展，稀磁半导体（DMS）的研究已成为目前国际上的热门课题，DMS可以实现将半导体的电荷性以及电子间的自选特性集中在同......
攻读博士学位期间作者在理论分析、数值模拟和材料生长方面选取了几个可能制约GaN HEMT发展的问题进行了研究，取得了一定成果，略述如......
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法 ,以液态 CCl4为掺杂源生长了高质量 C掺杂 Ga As/Al Ga As材料 ,并对生长机理、材料特性......
期刊
采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行......
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)研究了纯M......
运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式C掺杂卢β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4:......
应用溶剂热条件下离子交换方法制备了C掺杂TiO2毫米球光催化剂.并通过元素分析、X射线衍射（XRD）、紫外-可见（UV-Vis）漫反射对其进行了......
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDS）和物性测试仪（PPMS）研究了纯MgB2超导......
用第一性原理研究了C掺杂Zn O纳米带（Zn O-NRs）的能带结构和结构稳定性.研究结果表明：C原子对O原子替代掺杂将使Zn O纳米带在费米面附......
运用密度泛函平面波赝势方法（PWP）和广义梯度近似（GGA），对替代式C掺杂β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算，分析了β-Si3N4：C的电子结......
The <100> oriented Fe83Ga17 alloy rods with various NbC contents less than lat%were prepared by the directional soUdific......
采用第一性原理的平面波赝势方法,结合广义梯度近似,分别计算了在常压和高压下,C掺杂碱土金属氧化物X_4CO_3（X=Ca,Sr和Ba）的磁矩,体......
采用基于密度泛函理论方法,分别计算了N、C原子不同比例掺杂锐钛矿TiO2的形成能、晶体结构和电子结构等性质.计算结果表明：原子替位......
纳米TiO2的禁带宽度（3．2eV）限制了对太阳光能的利用，对纳米TiO2进行掺C改性能减小带隙、显著提高对可见光的利用，同时保持紫外光光催化......
通过熔体快淬方法制备了LaFe11.5Si1.5Cx（x=0,0.1,0.2,0.3）系合金的快淬条带。采用X射线衍射分析仪、振动样品磁强计研究了C掺杂对La......
采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜，选择C作为掺杂元素，得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜。经透射......
采用基于密度泛函理论的原理方法研究了纯NaNbO3和C掺杂NaNbO3的能带结构、态密度与吸收光谱.计算结果表明纯NaNbO3的价带主要由O ......
本文利用固相反应法制备了一系列Mg1-xAlxB2-yCy样品．X射线粉末衍射结果表明，铝的掺入使其晶格常数减小，但层间晶格常数c变化明显而层......
本文采用新型发泡辅助法和传统化学气相沉积法,分别制备了C/TiO2微板以及C/TiO2无定形膜。C/TiO2微板用于液相降解,以苯酚作为模拟......
学位
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了Ga N∶C薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的Ga N薄膜,研究了源(CCl4)流量......
异相光催化技术已经受到了国内外广泛关注,逐渐成为利用太阳能解决能源与环境问题的有效手段.典型异相光催化反应的步骤包括光子捕......
采用电弧离子镀与磁控溅射联合沉积技术,以不同的C掺杂方式在高速钢基体表面制备了C/TiAlSiN多元复合硬质膜层,对膜层的成分、组织......
通过基于密度泛函理论的第一性原理,研究了非金属C以不同位置（C替位O,C替位Ti）取代掺杂锐钛矿相TiO2的缺陷形成能、能带结构和态密度......
热电材料在废热发电、空调及冰箱制冷等领域具有广阔的应用前景,近年来受到了越来越大的关注。氧化物热电材料具有抗氧化、耐高温......
运用第一性原理的局域密度近似＋U（0≤U≤9eV）方法研究了本征金红石相TiO2在不同U值（对Ti-3d电子）下的禁带宽度、晶体结构以及不同比例C......
本文运用第一性原理研究了（9,0）型闭口硼氮纳米管及其两种C掺杂体系的场发射性能。对三种纳米管体系的态密度、局域态密度、赝能隙、......
通过阳极氧化方法制备了TiO2纳米管薄膜,在Na HCO3存在下对该薄膜进行热处理得到碳掺杂TiO2(C-TiO2)纳米管薄膜,通过X射线衍射仪(X......
基于第一性原理的平面波超软赝势方法,本文研究了C分别代替Ti和O原子位置掺杂的锐钛矿TiO2的晶体结构,电子结构以及光学性质。结果......
作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存......
本文运用第一性原理GGA+U方法计算了C元素单/双掺杂金红石型TiO2的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂体系的晶格发生畸变和......
隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）是一种用于晶硅太阳能电池的钝化结构,其由一层超薄的氧化硅和一层重掺杂的多晶硅组成,主要用于电池背表......
非金属掺杂可以有效地窄化半导体的禁带宽度,扩展半导体的可见光响应,从而提高半导体材料的可见光光催化活性。本论文以此为机理,......
随着社会的发展,人们对环境保护也越来越重视。传统的有机废水处理方法具有副产物较多,后处理复杂,易造成二次污染等弊端,其局限性......
最近几年,随着科学技术的迅速发展,新型功能材料得到广泛研究。其中,半金属材料因其具有独特的电子结构(自旋极化率高达100%),在自......
大功率半导体激光器在光通讯、医疗、印刷、激光制造和光泵浦等领域中有着广泛的应用前景。特别是现代战争中,大功率半导体激光器......
半导体激光器是光电子产业中最重要的组成部分，是继大规模集成电路之后，信息高技术领域中最有发展前途的产品之一。半导体发光管（LED）......
针对金属材料中的氦脆问题,选择了Fe、C掺杂铝研究了合金元素对金属中氦脆的抑制效应。本文着重研究了预先掺杂的Fe、C原子对He+辐......
非磁性离子掺杂的稀磁半导体近年来成为凝聚态物理磁学研究的热点问题之一。本文使用VASP软件包的第一性原理计算对C掺杂六角、菱......
运用第一性原理,对C掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构进行了研究,从能带结构理论解释了C掺杂TiO2吸收光谱的一些实验现象.发现在C掺杂后......
