C-SI相关论文
应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一。本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)......
In this paper, a series of boron doped microcrystalline hydrogenated silicon-germanium (p-μc-Si1-xGex:H) was deposited ......
为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为......
本文报导具有良好稳态与瞬态特性的 ia—Si∶H/n~(+C)—Si 异质结二极管.在2V 偏压时稳态整流比大于10~8,最大电流密度达2.5A/cm~2......
我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条......
Hydrogen is a ubiquitous element in semiconductor processing and particularly inamorphous and microcrystalline silicon w......
单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料,在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力。本文基于AMPS模拟软件,对单层......
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Crystalline silicon (c-Si) solar cells have the lion share in world PV market. Solar cells made from crystalline silicon......