设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特......

铁电场效应晶体管(FFET)存储器能够实现非破坏性读出，是一种比较理想的存储方式，因此从一开始就受到人们极大的关注。但是其漏电流过......

采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜,用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜.为了获得优质的背接触,对退火后的CdT......

设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V......

用高阻ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω．ｃｍ）单晶材料制作了ＭＯＳ结构器件，对样管的光电参数进行了测量，在激光辐射下，测出样管的光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在０．４Ｖ偏压下，光照......

设计了metal-polysilane-silicon（MPS）结构。首次发现MPS结构具有电容－电压（C－V）特性，许多MPS结构的C－V曲线平带电压为正，且其C－V特性与聚硅......