CU膜相关论文
用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(U......
本文提出了一种利用X射线拉伸试验测量二维残余应力的金属表面的屈服强度的方法,利用该方法测量了附着在钢基片上Cu膜的应力应变关......
远离平衡生长的Cu/a-C∶H双层膜具有网络分形的结构。在本实验条件下,测量出它的分维数D_f≈1.83。在TEM中对该双层膜进行缓慢加热......
该文重点研究集成电路采用Cu导线后的扩散阻挡层设计、Cu膜微结构调控以及退火气氛对Cu/扩散阻挡层体系热稳定性的影响.研究表明,N......
透明导电薄膜将透明和导电性能相结合,是一类具有鲜明特色的功能薄膜材料,广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、节能玻璃等光电领域......
本文研究了通过XeCl准分子激光照射Al2 O3陶瓷表面后 ,使其表面沉积金属Cu的技术。实验结果表明 ,Al2 O3试样浸入Cu2 SO4 溶液后 ,......
针对铝合金无法直接烙铁钎焊的问题,本文提出了一种表面改性焊接的新方法:采用离子注入与磁控溅射相结合的技术在2024铝合金表面制......
利用X射线拉伸实验研究了具有二维残余应力的Cu附着膜的屈服强度与退火温度的关系.结果表明, Cu附着膜的条件屈服点随着退火温度的......
利用X射线拉伸实验研究了具有二维残余应力的Cu附着膜的屈服强度与退火温度的关系.结果表明,Cu附着膜的条件屈服点随着退火温度的......
测试了不同溅射偏压下Cu膜的纳米压入硬度,探讨了溅射偏压、残余应力及压痕尺寸效应对Cu膜硬度的影响.结果表明,随着溅射偏压的增......
用分子动力学方法模拟了Cu双晶和Al双晶薄膜的〈111〉生长,模拟时假定在薄膜平面内保持恒定的等轴双向应变,薄膜中两晶粒的能量计......
用原子力显微镜（AFM）观察磁控溅射Cu膜的表面形貌,并基于功率谱密度（PSD）和粗糙度测量方法对薄膜进行了量化表征,研究了薄膜表面演化的......
采用直流非平衡磁控溅射射频等离子体增强电高法在Si衬底上沉积了Cu膜，用扫描电镜（SEM）研究了沉积Cu膜的表面形貌并测得薄膜的厚度，用X......
文章介绍了动态反射式椭圆偏振光谱技术的原理,采用椭圆偏振光谱技术测量得到P型Si(111)晶片,利用直流溅射制备的不同厚度Cu膜样品......
通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射（XRD）、能量分散X射线谱（EDX）和原子力显微镜（AFM）研究了已沉积和不同温度退火......
在本文中,我们建立了一个较完整的基于动力学晶格蒙特卡罗方法的模拟薄膜生长的三维模型,利用该模型我们研究了溅射沉积条件下粒子......
采用离子束溅射在K9玻璃基底上沉积了不同厚度的Cu膜，利用Lambda-900分光光度计，测量了波长为310nm到1300nm范围内Cu膜的反射率和透......
采用离子镀技术于45#钢基体表面在低温（164～115 K）和常温（291 K）条件下沉积Cu膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究Cu膜的晶体结构及......
为了研究Ar离子注入对薄膜沉积的影响,使用2 keV的氩离子对PET进行表面注入,注入剂量为5×1011ions.cm-2,然后用离子溅射镀膜......
在室温条件下，用直流磁控溅射Cu靶制备出了不同厚度的Cu膜，测量了Cu膜的光学透过率和面电阻，分析了光电性质薄膜厚度的变化情况．实验结......
在不锈钢基体上用离子束混合技术沉积SiC—C涂层，为有效提高SiC-C涂层与不锈钢基体元素的混合效应，采用涂覆后对样品进行加热处理以......
用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(UBMS)......
用反应磁控溅射和离子束辅助沉积(IBAD)方法分别在(111)单晶硅基体上沉积了Cu/ZrSiN与Cu/ZrN膜系,制得的试样在800 ℃下分别在真空......
远离平衡生长的Cu/a-C∶H双层膜具有网络分形的结构。在本实验条件下,测量出它的分维数D_f≈1.83。在TEM中对该双层膜进行缓慢加热......
用磁控溅射工艺分别在Si和Al2O3衬底上沉积两种不同织构组分的多晶柱状Cu膜，基于动力学标度方法表征两种薄膜的表面粗化特征．结果表......
用射频等离子体增强非平衡磁控溅射在Si100基底上沉积了金属Cu膜。研究了偏压，射频功率和磁场等沉积参数对膜性能的影响。用扫描电......
采用纳米压痕法测量了不同厚度（180～1000nm）的纳米晶Cu膜的硬度和弹性模量.结果表明,Cu膜硬度与厚度的关系类似于Hall-Petch关系,而弹......
本文的研究内容分为两大部分:第一部分研究了一种新型的薄膜制备技术,即会切场约束ICP(Inductively Coupled Plasma)增强非平衡磁......
学位
目的提高烧结钕铁硼表面镀Cu膜层结合力,改善可焊性,进一步制备生物友好的强耐蚀性防护薄膜。方法采用磁控溅射技术在钕铁硼表面制......
在直接驱动惯性约束聚变(ICF)实验中，Al膜和Cu膜是常用的薄膜靶材，因此，制备高质量的Al膜和Cu膜，研究Al膜的结构与物理性能成为其薄膜......
氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,通过掺入Ga、Al等ⅢA族元素能在很大程度的提升薄膜的导电性能。ZnO透明导电薄......
在MAIP-1000多功能真空离子镀膜机上,采用磁控溅射方法分别在CuCrZr合金/316LN不锈钢基座包套上制备Cu过渡层,在铍块上制备Ti阻碍......
利用纳米压痕技术对沉积在Si衬底上1μm厚Cu膜的硬度H和弹性模量E进行了测量.结果表明,由单一刚度测量(SSM)和连续刚度测量(CSM)2......
近年来,以二层覆铜板为基材的挠性印制电路板,具有薄、轻、结构灵活的鲜明特点,被广泛应用于折叠手机、数码相机、笔记本电脑等。......
