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CdZnTe(硫锌镉)相关论文
Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的缺陷分析与退火改性
生长态的CdZnTe晶体内常常存在各种缺陷,包括点缺陷、位错、Te沉淀相和Zn的成分偏析等。缺陷的大量存在使晶片不能满足作HgCdTe外延......
学位
CdZnTe(硫锌镉)
点缺陷
位错
沉淀相
偏析
退火
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