点缺陷相关论文
大尺寸直拉单晶硅的“增效降本”是当前光伏企业急需解决的问题。本文采用有限元体积法对φ300 mm直拉单晶硅生长过程分别进行稳态......
辐照产生的点缺陷经过长时间的积累和演化,会对材料的微观结构造成严重影响,进而导致材料的宏观力学性能和电学性能的改变。所以研......
GaN是一种典型的宽禁带半导体,一直是凝聚态物理和材料物理研究的重点。GaN通过掺杂可实现n型或p型导电,以及不同波段包括可见光和......
由于高温淬火,塑性变形,高能粒子辐照等,致使材料中产生大量点缺陷。点缺陷的存在和扩散强烈地影响了材料的物理性能和机械性能。......
由于绝对零度的理想情况无法实现,材料中的原子将因热涨落而离开它们的布拉维格点,从而在材料中形成大量的点缺陷。它们的存在极大......
二氧化锰（MnO2）因其晶体结构丰富、价格低廉、比表面积高、理论比电容大等特点,在超级电容器领域受到广泛关注。然而,受制于其低固有......
虽然Ce掺杂对ZnO光学性能和磁性影响的研究在国内外有一定的进展,但是对于Ce掺杂与间隙H原子共存共存以及Ce掺杂与O空位或Zn空位共......
Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料因具有优异的磁光特性,在太阳能电池、自旋电子器件以及光催化等领域具有广泛的应用前景。而通过调控Mn掺......
光波单向传输器件在全光计算和信息处理方面具有重要应用.本文提出一种具有完全光子带隙的硅基空气孔光子晶体漏斗型光波导结构,在......
碳化硅(SiC)由于性能优异,已广泛应用于核技术领域.在辐照环境下,载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置,进而产生过饱和......
离子激发发光(Ions beam induced luminescence,IBIL)可以实时原位分析不同温度、不同离子辐照条件下材料内部点缺陷的演变行为.本......
由于碳化硅（SiC）拥有一系列相似晶体结构的同质多型体使得碳化硅具有同质多晶的特点,从而具有许多特殊优异的性能,被广泛用于半导体......
活塞是发动机的重要零部件,长期在高温高载荷下工作,主要采用Al-Si系活塞合金制造,随着高功率密度柴油发动机的发展,现有常规Al-Si......
学位
本文采用分子动力学方法模拟了含有不同大小点缺陷的单晶硅在恒定应变率作用下的破坏过程,以及点缺陷对单晶硅屈服强度的影响,结果......
基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了点缺陷和Nb原子掺杂对α-Zr力学性质的影响.结果 表明,单空位引入使得α-Zr的剪切模量增......
在完整的二维正方晶格硅光子晶体中引入点缺陷和线缺陷,利用点缺陷和线缺陷的耦合效应,提出一种基于二维光子晶体的1×5等比分束器......
在经受辐照的材料中会有大量的缺陷形成并保留下来,不同类型的缺陷之间发生错综复杂的交互作用,最终会造成材料微观结构和宏观性能......
新一代核电技术的发展对反应堆材料的耐辐照性能提出了更高的要求。纳米复合材料中存在大量异质界面,能有效吸收、湮灭辐照致点缺......
弯头是压力管道应用最广泛的部件之一,同时也是最容易产生缺陷的部件之一,点缺陷是其失效的主要原因之一,有必要分析点缺陷对弯头......
本文运用改进分析型EAM模型和分子动力学方法模拟计算了DOFeAl有序合金中原子的双空位形成能.计算结果表明:在Fe-Fe和Fe-Al双空位......
近年来，三元化合物半导体碲锰镉受到了广泛的关注和研究.CdMnTe晶体具有优异的光电性能，是最为理想的室温X射线、γ射线探测器材料之......
考虑力电耦合效应，研究了含有点缺陷的二维压电声带隙材料中弹性波缺陷带特性问题。利用超元胞方法，得到了平面内模态与平面外模态的......
首先用离散元方法研究了颗粒系统在各向同性挤压和纯剪切状态下粒子间力的分布情况，并与相同条件下的实验结果进行对比。然后模拟了......
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器......
采用平面波展开法研究了含点缺陷正方结构二维函数光子晶体的带隙结构、缺陷模式和缺陷模式的本征场分布。选取介质柱的折射率为空......
石墨烯与磷烯以其良好的生物相容性,在生物检测,肿瘤治疗,药物载体等方面具有优秀的应用潜力。为了实现生物医学上对于石墨烯/磷烯......
本发明公开了一种界面强化钼合金及其制备方法,钼合金包括以下质量百分比的成分:85%-98%Mo、0.5%-15%活性金属元素、0.1%-5%碳化物......
为了保证大尺寸夹心式压电陶瓷复合换能器的纵向工作效率,减少纵、横振动之间的强烈耦合,改善换能器前辐射端面的纵向位移分布均匀......
通过对“对标”的解析,对同行业相关企业的炼钢、真空铸锭、铸钢铸型、锻造、热处理等工艺装备分别进行了对比分析,为太原重工易地......
半导体材料的晶格中含有一定量的点缺陷,能够释放或者俘获电子,对其物理、化学性能具有重要的影响。例如,在n 型氧化物半导体......
作为一种性能优越的宽禁带氧化物半导体材料,ZnO在紫外发光器件、透明导电电极、柔性电子学器件等领域具有广阔的技术应用前景......
介绍一种利用分子动力学，从原子尺度模拟点缺陷对晶格振动行为的方法。清楚示出目前试验无法展现的点缺陷影响声子散射的演化过程。......
在金相显微镜下观察了乳液中不同直径的粒子。大小粒子通过形核长大形成金属间化合物SmCo_5和Sm_2Co_(17)型晶体结构。在这类结构......
引言纯的SnO_2是一个禁带宽度较大的n型半导体材料,其禁带宽度为3.7eV。由于它内部存在着点缺陷,这些点缺陷具有施主或受主的作用......
在 L10 FePt 的点缺点和他们的相关物理性质被分子的动力学模拟基于一个分析契约顺序潜力调查。计算结果与试验性的价值同意很好，显......
He defect properties in Sc, Y, Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Lu were studied using first-principles calculations based on densi......
研究金属间化合物.NiAl的表面结构和成分对于理解其抗氧化机制、断裂过程等非常重要.采用巨正则系综Monte Carlo方法对NiA1内部和(......
分别利用1kHz和200kHz两种重复频率的近红外飞秒激光,经过低数值孔径的物镜聚焦,空间选择性地辐照KCl晶体,在KCl晶体内部诱导出了......
ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额......
通过密度泛函理论研究了Ag、Au、Pt原子在完美和点缺陷(包括N掺杂、B掺杂、空位点缺陷)石墨烯上的吸附以及这些体系的界面性质.研......
研究了十重准晶光子晶体（QPC）缺陷模的性质，观察引入不同缺陷时十重准晶对光路的影响。基于介质柱在空气背景中的十重准晶光子晶体结......
基于亥姆霍兹共振腔单元设计并制作了一种一维局域共振型声子晶体,针对结构中存在点缺陷的情况,进行了实验研究.实验结果表明,由于......
采用基于时域有限差分技术的数值模拟方法，研究了二维正方晶格光子晶体点缺陷的透射谱。研究发现，减小或增大砷化镓介质棒半径均可以......
LiBX2(B=Ga,In;X=S,Se,Te)晶体具有宽的透光波段、足够大的双折射率、高的激光损伤阈值和小的双光子吸收系数等特性,是目前最具发......
