Co-Si化合物相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

Co-Si化合物相关论文

退火温度对IBAD合成Co—Si化合物薄膜结构影响研究

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期刊

离子束辅助淀积 Co-Si化合物薄膜退火

Si衬底上Co薄膜氧化观察

用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化，发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物，薄膜氧化......

期刊

薄膜 Co-Si化合物氧化 film cobalt-silicide oxidation

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