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DDPGPD工艺相关论文
一种型双掺杂多晶硅栅MOSFET的研究
DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件,它具有提高驱动电流,提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺陷......
学位
P+掩埋层
D-gate氧化层
泄漏电流
截止频率
多晶硅栅
DDPGPD工艺
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