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减少缺陷及提高铜层化学机械抛光平面度的探讨
半导体器件上铜层化学机械抛光(CMP)的第一道工序一般需要使用一块硬抛光垫,在磨去阻挡层的工序中要用到软垫。在磨去阻挡层和电介质......
期刊
缺陷
铜层
化学机械抛光
平面度
Defectioity
Copper CMP
Cuppad planarization
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