以氮等离子体为氮源，以三乙基镓（TEG）为镓源，在蓝宝石（Al2O3）衬底上生长GaN缓冲层。主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响。......

利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR—PEMOCVD）技术,采用三甲基镓（TMGa）和氮气（N.）作为实验反应源,改变不同的沉积......

基于热力学平衡理论，对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的GaN薄膜生长给出了一个化学平衡模型．计算表明，GaN生......

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术，在蓝宝石（α～Al2O3）衬底上生长出Mn含量约为3％的（Ga，Mn）稀磁半导体......