考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前......

针对传统增强型GaN FinFET器件阈值电压较低、Fin宽(Wfin)工艺窗口较小和电流密度较低的问题，本文提出了一种基于薄势垒技术的AlGaN......

本文重点研究了蓝宝石衬底上的铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)和集成电路。　　 首先，开展了不同F等离......

作为第三代半导体器件,AlGaN/GaN异质结器件以其高击穿场强、高电子饱和速度以及高二维电子气(2DEG)密度而引起人们的广泛兴趣。相......

提出了一种利用薄势垒结构制造增强型AlGaN/GaN HEMT的方法。研究了SiN钝化对薄势垒AlGaN/GaN异质结的影响,并利用其控制沟道中的......

AlGaN/GaN HEMT器件因为具有高击穿电压、低导通电阻等特点，被认为是出色的功率开关器件或电力电子器件，近年来受到人们的普遍关注。......

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在高频大功率器件中应用很有前景，这是因为其具有宽禁带，高的电子迁移率，高的击穿场强，强的极化。为了不......

尽管AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率特性方面取得很大的进步,因为缺少p型沟道的AlGaN/GaN HEMTs,类似CMOS的电路组成不能实现。通......

GaN基毫米波器件技术已成为目前最具前景的毫米波大功率器件和功率放大器的理想制造技术。AlGaN/GaN HEMT具有出色的微波功率特性,......