Photochemical growth of metal particles on ferroelectric films has usually been found to depend on polarization effect s......

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用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜, 并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方......

用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.研究了不同退火工艺对PLT薄膜结构的影响.发现在PbO气氛下退火能......

制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜，介质层一般选用ＺｒＯ２作为阻挡层，以克服电荷注入效应，改进器件的性能。在ＭＦＩＳ研制中，ＳＢＴ薄膜......

铁电薄膜与半导体集成产生了新一代非易失存储器，与传统的半导体非易失存储器比较具有突出的优点，是新一代ＩＣ卡的理想存储芯片。......

应用金属有机溶液沉积法在p-Si（100）基片上成功地制备了抗疲劳B也Bi3.2La0.8Ti3O12铁电薄膜。应用XRD分析研究了薄膜在各种工艺条件......

室温下在ＭＯＤ法制备的ＰＬＴ铁电薄膜的样品上，观察不同电场强度下电流随时间的变化，根据电流的变化情况，把电场划分为弱、中、强三个区间。在弱......

在固液同成分ＬｉＮｂＯ３中，同时掺入６％ＺｎＯ（摩尔比）和０．０５％Ｆｅ２Ｏ３（摩尔比），用提拉法生长了双掺杂Ｚｎ，Ｆｅ，ＬｉＮｂＯ３晶体，这是一种性能优良的光折变晶体材料。文章用二波耦合技术研究了晶......