本文对光纤通信的单模激光器及集成光路的沟道衬底低温液相外延进行了研究。确定了760℃下的平衡液相和固相组分;测得Ge在(GaAl)As......

业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形......

本文采用经验紧束缚方法,计算了第一类半导体超晶格(GaAs)_(nl)/(Ga_xAl_(1-x)As)_(n2)(100)和(GaAs_n/(Ge)_n(100)的电子结构。对......