GaAs因具有电子迁移率高、抗辐射能力强、耐热等优点在制作高频高速光电器件、微波器件及光电集成等领域有着广泛的用途。为挖掘和......

采用基于密度泛函理论（DFF）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAsl1-xSbx（x=0，0．25，0．5，0．75；1）的电子......