GaN光电阴极相关论文
利用超高真空制备技术，对以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品进行了光电阴极制备，并利用紫外光谱响应测试仪，对所制备......
We create a GaN photocathode based on graded AlxGa1?xN buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer ......
对梯度掺杂结构GaN阴极表面进行了化学清洗，清洗后利用X射线光电子能谱仪（XPS）分析了阴极表面，分析表明化学清洗能有效去除阴极表面的......
为了提高GaN阴极的紫外探测效率，提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构，采用超高真空（Cs，0）激活工艺进行......
针对反射式GaN光电阴极长波段量子效率衰减较大,短波段量子效率衰减较小的实验现象,在考虑谷间散射的情况下,利用玻尔兹曼分布和基......
针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几......
目前,对GaN光电阴极的研究还存在着许多不够完善的地方,特别是不够完善的基础理论知识,极大地制约了真空紫外探测器的研究。如今,......
近年来,一种新型的紫外探测光电阴极——GaN引起了人们高涨的研究兴趣,NEA GaN光电阴极具有高量子效率、低背景噪声、发射出来的电......
研究表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响.计算梯度掺杂透射式GaN光电阴极的电子能量分布及逸出几率,结果显示梯度掺......
由于GaN光电阴极的突出性能，其在紫外探测方面有着广泛的应用。文章在超高真空激活系统中，对GaN样品进行了Cs／O激活实验，并分析了激活......
对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEA GaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了p型掺杂浓度为1.6×1017 cm-3发射层厚度150 nm......
针对GaN基光电阴极激活过程中Cs—O交替存在的光电流的增幅问题，本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴......
GaN光电阴极材料在蓝光以及“日盲”探测器领域具有很大的应用潜力。国外对于该材料的研究起步较早,制备的GaN光电阴极材料最高可......
针对负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEAGaN光电阴......
负电子亲和势GaN光电阴极由于其量子效率高、暗电流小、发射电子能量分布集中和稳定性好等诸多优点,在紫外探测和真空电子源等领域......
GaN常温下禁带宽度为3.4eV,光谱响应的闽值波长为365 nm,不吸收可见光,制成的紫外探测器可以做到可见光盲,不需要滤光系统。这样可......
以反射式NEAGaN光电阴极充分激活、衰减以及补Cs后的量子效率曲线为依据,针对阴极量子效率的衰减规律和补Cs后的恢复状况,论述了NE......
以金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延的p型GaN为阴极发射层材料,通过对激活过程中阴极光电流的在线监测,考察了Cs激活,Cs/O交替激活......
