GaN发光二极管相关论文
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容......
通过对InxGal～xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1一xN的禁带宽度，从而改变量子阱势垒高度，并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间......
利用正向交流（ac）小信号方法对GaN发光二极管的电容．电压特性进行测量，可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大，测试频率......
利用正向交流（ac）小信号方法对GaN发光二极管的电容一电压特性进行测量，可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电......
美国Strategy Analytics于当地时间3月15日公布了关于氮化镓(GaN)发光二极管市场的调查结果。据该调查结果，该市场到2008年为止将以......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作......
GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm／W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及......
为了提高光提取效率,分析在GaN发光二极管(LED)结构中的光波矢传播模型,并分析Ag光子晶体的表面等离激元和能带结构;同时模拟未覆......
