GaN外延生长相关论文
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)......
本文报道了用低压MOVPE和RF-分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的GaN生长.以"双～单层"模型讨论了用MOVPE和MBE法在蓝宝石衬底上......
近年来,作为新一代照明材料的GaN基LED的相关技术取得了卓越的进步,吸引了极大的关注。但是GaN基LED要进入通用照明市场,仍有大量......
