利用能量为2.5MeV的电子束沿生长方向(0001)对GaN/Al2O3异质结外延层进行电子辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。辐照......

第三代半导体材料GaN具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN／GaN HEMT的研究已经取得很大的进展,但应......