GaN纳米线及其阵列相关硕士博士期刊学术论文

氮化镓（GaN）作为一种直接宽带隙（3.4 eV）的半导体材料,具有极高的化学稳定性和热稳定性,在高温高功率射频器件和光电元器件方面具有很......