从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGe HBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1xGex合金材料,并对Si/Si1xGex合金材料......

采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺......

回顾了近年来在Ge／Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及......

众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响......