pnp型SiGe HBT的制备研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaohw123456

【摘要】

：

从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGe HBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1xGex合金材料,并对Si/Si1xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固

【作者】

：

王喜媛张鹤鸣刘道广郑娥张静徐婉静

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所,重庆固体电子研究所重点实验室

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

pnp型SiGeHBT 禁带宽度 Ge组分能带异质结双极型晶体管 pnp SiGe HBT Eg (band-gap energy) the compon

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从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGe HBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1xGex合金材料,并对Si/Si1xGex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征,在重庆固体电子研究所工艺线上,研制出了pnp型Si/SiGe HBT器件.器件参数为:Vcbo=9V,Vce0=2.5V,Veb0=5 V,β=1 0.

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