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H-MOS相关论文

LSI新工艺—H-MOSⅡ静态RAM比双极型器件更富于竞争力

过去十年内,MOS器件力排阻力,向前推进到更高的性能和密度。本文介绍MOS从速度比较慢密度相对低的工艺而发展到在随机存取存贮器......

期刊

双极型器件 H-MOS LSI RAM 按比例缩小存取时间随机存取沟道沟道效应

H-MOS—缩小传统器件的尺寸以达到高性能水平

MOS 器件的集成度和性能每年都有成倍的增长,这几乎成为一个规律了。在过去的十年中,MOS 芯片从低集成度的、速度为几毫秒的移位......

期刊

器件 H-MOS 沟道长度性能水平高阈移位寄存器毫微秒电源电路集成度功能块

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