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HVPE横向外延GaN相关论文
Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
用氢化物气相外延(HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料.透射电子显微镜(TEM)的研究结果表明,......
期刊
微结构和光学性质
HVPE横向外延GaN
Si(III)衬底
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