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HfO2基铁电薄膜具有铁电性能优异、与现有集成电路制造工艺兼容和可微缩性强等特点,以其作为栅介质的铁电场效应晶体管和铁电负电......
氧化铪基铁电材料具有与CMOS工艺兼容、微型化能力强、禁带宽度大等特点,在促进铁电存储器的发展方面具有重要的作用,而锗具有相对......
该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电......
