基于铁电薄膜材料与半导体集成而发展起来的集成铁电学及相关器件研究是微电子技术、凝聚态物理和材料科学等学科的交叉前沿。第三......

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X......