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HgCdTe材料少子寿命相关论文
HgCdTe材料p型掺杂及相关电学性质
第三代HgCdTe红外焦平面列阵技术向多光谱、大规模的发展过程中,分子束外延(MBE)技术面临扩大外延面积、精确控制原位掺杂等技术挑......
学位
红外焦平面列阵
分子束外延
碲镉汞材料
p型掺杂
电学性质
HgCdTe材料少子寿命
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