采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿CdTe及不同量Hg掺杂HgxCd1-xTe的电子结构,给出了相应的的能带......

利用固相反应法分别在700℃和850℃制备了Mg1．05-x（Hg）xB2多晶样品，其中x=0，1％，2．5％，5％，7．5％，10％．X射线衍射结果显示，随着掺入量的增加，700℃制得的样......

采用XPS方法对BaPb1-xBixO3超导体以及Hg掺杂BaPb1-xBixO3超导体进行了对照研究，结果表明当Hg取代Ph后，位于18eV和22eV的价带的强度......

用Hg Cl2与Zn(Ac O)2和Na2S共沉淀法制备Hg掺杂Zn S(HgXZn1-XS),研究在可见光激发下(λ>420 nm)HgXZn1-XS对以罗丹明B(Rh B)及2,4-......

采用镉硫共沉淀方法制备了Hg掺杂CdS（HgxCd1-xS）光催化剂,运用X射线衍射法（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、透射电镜（TEM）和紫外-可见吸收光......