IB族元素掺杂相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

IB族元素掺杂相关论文

P型ZnO薄膜制备的研究进展

ZnO是一种性能优异的“低温蓝光工程”宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实......

期刊

ZNO薄膜 P型掺杂自补偿共掺杂 IB族元素掺杂 ZnO films p-type doping self-compensation effect c

IB族元素在ZnO中掺杂状态及其对ZnO性能影响的研究

ZnO是一种II-VI族的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。此外, ZnO还具有机电耦合性能好、储量......

学位

磁控溅射 IB族元素掺杂 p型ZnO薄膜掺杂状态 X射线光电子能谱

看过本文同时还关注