III-V族半导体相关论文
通过对两种结构参数与设计偏差较大的带间级联激光器（ICL）的研究，探讨了器件性能在结构变化下的耐受性。在300 K时，即使和4.6 μm的设......
利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs......
本文采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法，对新型的III-V 族化合物半导体AlBi和部分填充四面体空位半导体LiCdX(X=N,P,As......
在室温和低温下,测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱.对实验结果的分析表明,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退.室温下,......
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, ......
以传统Si材料为主的场效应晶体管半导体工业和电子器件以指数增加,实现Si晶体管在电路高度集成,现代半导体电子器件不断微型化,然......
近年来， III-V族半导体纳米线由于其独特的物理性质以及在纳电子学和光电子学方面的潜在应用而备受关注，其中纳米线的生长技术是研究......
GaN、AlN以及Ga N/AlN的异质结构作为第三代半导体在紫外发光器件以及在高功率、高频、高温等电子器件等方面具有广泛的应用。其中......
学位
利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质......
