以V2O5为原料,笨甲醇、异丁醇为溶剂,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备了V2O5薄膜.采用差热-失重(DTA-TG)、付里叶红外光谱(FT-IR)......

氮化镓(GaN)由于具有带隙宽(3.39eV),电子漂移饱和速度高(1.5×10Vcm/s),击穿电压高等特点,被誉为继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后第三......