In-N共掺相关论文
采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所......
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料有着诸多光电方面的优异特性，室温下的禁带宽度为3.36eV，激子束缚能高达60meV，远远高于室温热能26......
采用直流反应磁控溅射方法，通过改变衬底温度并优化生长参数，在玻璃衬底上生长了In-N共掺P型ZnO薄膜。X射线衍射（XRD）测试表明，所得薄膜......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构，（002）晶面的表面自由能最低，因而ZnO通常具有（002）取向性生长。ZnO在光电、压电、......
