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基于InP衬底的晶格失配In0.68Ga0.32As的MOCVD生长及其特性研究
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿......
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In0.68Ga0.32As
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