InGaPGaAsHBT相关论文
5G时代来临,人们对于通信质量的要求越来越高,高峰均比的调制信号被广泛应用,这类信号极易导致非线性。为了保证线性度,一般会要求......
基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器.采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失......
现代无线通信系统为了提升信道容量、传输速率和可靠性,采用了高频谱利用率和强抗干扰能力的OFDM、MIMO-OFDM等技术。而这些技术的......
本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属......
本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来形成BE金属......
基于InGaP/GaAs HBT工艺设计了一款工作频段为2.5~2.7 GHz的高效率低谐波失真的功率放大器.该功放通过在输出匹配网络中引入多个LC......
期刊
采用 In Ga P/ Ga As HBTs设计并实现了传输速率为 10 Gbps的跨阻放大器 .在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益 ,......
介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际......
报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级......
通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设......
设计了一款微波单片集成电路功率放大器.该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置......
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器(VCO),该VCO采用Colpitts双推(push-push)电路......
作为一种无线短距离高速率的数据传输手段,WLAN最近几年来飞速发展并迅速普及。与此同时,WLAN标准也为了适应用户的需求而不断推陈......
