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L82C87集成电路的总剂量辐射效应研究
对SiO2/Si3N4复合栅结构L82C87电路的电离辐射效应、退火特性及损伤机理进行了研究,探讨了用SiO2/Si3N4复合栅结构对大规模集成电路进行抗辐射加固的可行性。 ......
期刊
总剂量
L82C87
辐射效应
阈电压
抗辐射加固
损伤机理
电离辐射
静态功耗
界面态
沟道长度
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