C-V特性相关论文
碳化硅（SiC）材料具有较宽的带隙,较高的电子迁移率和优越的导热性,因此在电子器件开发中极有吸引力。众所周知,绝缘特性的SiO2层具有......
采用原子层沉积技术制备Al2O3薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响.利用C-V测试表......
针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、......
本文通过在P-HgCdTe上生长自身硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特笥的分析,获得了ZnS/自身......
本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试......
使用SCAPS软件模拟分析了背接触势垒、吸收层掺杂浓度、测试频率对CdTe薄膜太阳电池的C-V特性的影响,并与实验测量进行了比较分析.......
在成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm N/O(SiN/SiO) stack栅介质的基础上,深入研究了其性质.我们的研究发现,同样......
界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al203栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN......
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-......
结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结......
电动力绳系是一种新型的空间推进系统,它能够利用地球外围空间磁场和等离子层环境实现在无需或极少需要推进剂的条件下就产生推力,......
本文报导在 Si 衬底上拉制聚酰胺 LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺 LB 膜应用于场效应器件......
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异......
本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬......
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-......
该文紧密围绕复俣薄膜热释电红外探测器阵列展开,分析并模拟了复合薄膜结构中热绝缘结构的性能,设计了探测器的掩膜版版图,详细讨......
4H-SiC MOSFET具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点，在军用和民用领域前景广阔。但由于4H-SiC/SiO2界面态密度高，导致......
CMOS器件按比例缩小要求SiO2绝缘层厚度越来越小，导致栅极漏电流急剧增加，器件的可靠性下降。高介电常数栅介质二氧化铪（HfO2）的应用可......
该文从实用、商品化太阳电池的理论分析与生产工艺出发,对高效、低成本结构的太阳电池进行比较全面的研究.......
利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结......
通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-......
采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为......
通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金......
通过分析以PMMA[poly(methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响。PMMA薄膜通过......
采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT......
采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O......
期刊
用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观......
高频ＭＯＳＣ－Ｖ特性测量中异常现象分析张光春，曲果丽，许汝民，张玉生（山东工业大学电子工程系济南２５００１４）ＭＯＳ结构的Ｃ－Ｖ分析技术在半导体工艺控制和测量中，已经得......
比较了快速热处理、传统热处理、快速与传统结合热处理镧钛本铅铁电薄膜的微观形貌、介电、铁电性能、Ｉ－Ｖ以及Ｃ－Ｖ特性。讨论了不同热处理......
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了......
测定了多种具有金属／Ｌ－Ｂ膜绝缘层／半导体（Ｓｉ）结构铁纳米厚度有机功能膜的Ｃ－Ｖ特性，研究发现Ｃ－Ｖ特性受到Ｌ－Ｂ膜的分子组分和氧化膜厚度的影响。......
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、......
本文从理论上解释了由半导体晶粒间的绝缘晶界以及晶界两侧的SI结和IS结势垒三者组成的晶界层电容,在低偏压下的C-V特性.指出了绝......
本文提出了一种采用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着跟于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的......
在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,......
本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知Ｃ－Ｖ曲线变容管的几个主要设计参数。......
采用NH4F／H202作为p-CZT晶片的表面钝化剂，对未钝化与钝化表面处理的p—CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶......
采用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体（MFS）结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论......
在我厂CMOS电路生产工艺中,常规栅氧化的C-V曲线经常出现不正常现象,但生产实践表明,它又不反映制成电路栅氧层的界面电荷特性。因......
通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y2O3介质和Al2O3,形成金属/Al2O3/Y2O3/SiC高k介质......
本文用化学沉积法制备出了Pd-GaP肖特基势垒.通过对其C-V特性、I-V特性、开关特性的研究.测量出了样品的接触电势差U_D,理想因子n,......
本文研究可在定温下工作，具有ＬａＦ３（氟化镧）薄膜的ＭＩＳ（金属－绝缘体－半导体）型固态氧传感器，并对其敏感机制进行了讨论。测试并分析了传感器的响应特......
利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构......
测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作......
