MOCVD法相关论文
采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni......
ZnO是一种直接带隙的化合物半导体材料,本文采用MOCVD方法和热蒸发法生长了各种形状的ZnO材料,如纳米线、纳米管、四角锥状、辐射......
本文以MOCVD方法实现了ZnO薄膜材料的生长.生长村底是(100)面偏向〈111〉A 15°的N型GaAs片,生长反应的锌源和氧源分别为DEZn、H2O......
Suzuki-Miyaura 交叉偶联反应是形成芳基-芳基键最有效的手段之一。传统的均相钯催化剂具有较高的选择性和转化率，但是存在催化......
负载型铂催化剂由于具有高的活性和良好的稳定性，而广泛应用于燃料电池电极催化剂、石油化工中的催化重整以及各种精细化学品的......
会议
采用MOCVD法在不锈钢管表面成功制备了Al203涂层，该涂层连续、致密，厚度约为300nm。在连续流动反应装置上研究了涂层前后不锈钢......
单一倾斜进气口光辅助MOCVD，在未旋转1”LAO衬底上制备纯c轴向YBCO外延膜时，厚度差异很大。衬底旋转后，得到厚度差异在10％以内的厚膜(～1......
该研究采用自制的MOCVD设备,通过对MOCVD反应室结构的改进,系统研究了MOCVD技术制备薄膜的工艺、沉积膜的组织结构,并重点研究了膜......
宽禁带半导体GaN及其合金材料在短波长发光器件、短波长激光器以及高温、大功率、高频电子器件等方面有着广泛的应用前景。由于GaN......
以YBa2Cu3O7-δ(YBCO)为代表的第二代高温超导带材具有交流损耗小、不可逆场高、电流承载能力强等优点,在能源、电力、国防装备等......
2001年3月,日本科学家报道了简单的二元金属化合物MgB2能在39K左右表现出超导特性,这个临界转变温度值已经接近于或超出了经典BCS......
实现高超音速飞行需要解决推动力和热障两大难题。吸热燃料既可通过燃烧提供动力，又可作为冷却剂满足冷却要求，具有巨大的应用前景。......
二十世纪九十年代以来，全世界范围内掀起了一股自旋电子学研究的热潮。作为半导体自旋电子学领域一种重要的自旋电子学材料，稀磁半导......
Zn_(1-x)Mg_xO是一种新型Ⅱ一Ⅵ族宽禁带三元化合物半导体材料。在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点。这种材料......
微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一......
Structural and photocatalytic properties of TiO2 films fabricated on silicon substrates by MOCVD met
Silicon(111) and Silicon(100) were employed for fabrication of TiO2 films by metal organic chemical vapor deposition(MOC......
本文综述MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体技术是生长超品格的需要,介绍了国内外的发展过程及本法的特点。目前在生长HgCdTe外延层方面存......
镁合金表面陶瓷/铜复合膜层的性能研究；铝合金硫酸阳极氧化对胶接性能的影响；MOCVD法制备碳-氧化铝太阳能选择吸收涂层的研究；多孔钛......
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的......
采用常压有机金属化合物化学气相沉积（AP—MOCVD）法，在浮法玻璃生产线上制备了绒面透明导电玻璃，通过控制反应物浓度及配比成功实现对......
采用金属有机化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜，测定了ＴｉＯ２薄膜的晶体结构，以ｐ－Ｓｉ为基底电极，研究了ＴｉＯ２薄膜的光电化学性质。经ＴｉＯ２修饰的ｐ－Ｓｉ电极，开路光电位增加......
众所周知，ＭＯＣＶＤ方法是制备薄膜材料的重要方法之一，现已广泛应用于半导体薄膜，铁电薄膜和超导薄膜等的制备。在以前的工作中，我们设计，加工安......
本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数。结果表明ＭＯＣＶＤ太阳电池的效率随电池外延ｎ型层厚度的增大而增大，暗电流随电池外延ｎ型厚度的......
本文报道了利用ＭＯＣＶＤ方法，在ＧａＡｓ衬底面制备的立方ＧａＮ薄膜的光学性质。利用光致发光光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量。利用喇曼散......
本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm2面积上,HgCdTe外延......
