MOCVD方法相关论文
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,分别以高纯O2和NO作为氧源,在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。XRD测试结果显示,ZnO薄膜都为......
利用MOCVD技术制备了Sb掺杂ZnO薄膜,在小掺杂量时研究了Sb的掺杂量对ZnO薄膜的结晶质量的影响,发现小掺杂量时随着Sb含量的增加ZnO......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度......
采用MOCVD方法,在Al2O3衬底上生长了ZnO薄膜,并利用X射线衍射、拉曼散射谱以及光致发光谱分析了薄膜的结构和发光性质。研究表明,......
本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室......
针对高温超导带材研究的低成本高性能发展趋势,本研究以H-276合金基带为基底,采用溶液涂覆表面平整化获得nm级平整度的非晶表......
采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下在玻璃基片上制备TiO2薄......
利用透射谱(反射谱)方法对MOCVD方法生长的InGaN样品进行实验研究，发现谱线中存在明显的F—P干涉条纹。利用F-P干涉原理分析知，样品......
ZnO作为一种重要的宽直接带隙半导体材料日益受到人们的关注.由于具有良好的光电和压电特性,ZnO可广泛应用于蓝-紫光发光器件、声......
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用......
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在......
GaN射频器件通过MOCVD方法在大尺寸SiC衬底上生长高质量的GaN薄膜和GaN/AlGaN异质结。利用成熟半导体工艺设备和薄膜芯片制备技术,......
本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370......
