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MOCVD生长机理相关论文
ZnO生长中N2O为氧源的机理与影响
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器、短波长激光......
学位
氧化锌材料
N2O氧源
MOCVD生长机理
薄膜结构
优化实验
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