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本文提出了一种基于EKV的RF MOSFET模型.主要在原有EKV模型的基础上加入了一些外部寄生部分,比如栅极电阻,覆盖电容以及衬底网络等......
随着科技的发展,航天、汽车电子、智能电网等各个领域,迫切需要一种在高辐射、高功率密度、高压高频等环境下仍然能够正常工作的功......
本文采用最优化方法中的 L-M 方法,对 MOSFET 直流模型参数进行优化提取。采用了亚闽区、线性区和饱和区直流特性作为目标函数,并......
当今对器件模型的精度要求越来越高,一个精确地MOSFET模型已经是首要解决问题，这也一直是国际上研究的热点和重点。为了解决MOS器件......
给出一套具有较高精度具同时适用于数字电路和模拟电路ＣＡＤ的短沟ＭＯＳ器件直流模型。该模型精确、高效，可移植到ＨＳＰＩＣＥ等通用线路分析软件中。结合......
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验......
