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采用水热法，以3mol／LKOH为矿化剂，填充度35％，温度430℃，通过添加适量比例的In2O3，合成了掺In的ZnO晶体．In离子掺杂不仅可以改善晶体形貌特......
近年来,宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起人们广泛的关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导......
