ZnO纳米管相关论文
纳米有序阵列,尤其是在透明导电基底上制备的无支撑自立纳米棒与纳米管有序阵列可在多种器件上进行应用。当将纳米阵列用于光伏器......
近年来，准一维纳米结构吸引了很多科研人员的关注，而在其中，半导体一维纳米结构是研究最热门的领域。一方面由于各种不同的生长方法被......
基于极性晶体的晶面能理论,不添加任何辅助添加剂,本论文仅通过调节水热结晶条件实现了对ZnO纳米管阵列结构的可控合成.通过晶体表......
本文提出了一种制备多孔ZnO纳米管的新而简易的方法,首次实现电纺ZnO纳米线向纳米管的转变.该方法利用普通电纺法获得的ZnO纳米线,......
基于极性晶体的晶面能理论,不添加任何辅助添加剂,本论文仅通过调节水热结晶条件实现了对ZnO纳米管阵列结构的可控合成。通过晶体......
采用化学溶解法成功制备出了大小均匀、形貌规则、晶体质量较好的ZnO纳米管。用扫描电镜（SEM）、选区电子衍射（SEAD）、透射电镜（TEM）和荧......
通过简单的两步热蒸发方法成功地实现了ZnO纳米管和纳米棒的集成。SEM结果表明，大量的纳米线以层层生长的机理从约200℃低温Si基片......
自从1991年日本科学家Iijima发现碳纳米管以来．在纳米管制备和理论方面的研究引起了广泛的关注。管状、线状、棒状、带状、针状等一......
采用“化学刻蚀法”成功将制得的ZnO纳米棒（ZnO nanorods,ZnO NRs）转换成ZnO纳米管（ZnO nanotubes,ZnO NTs）.利用X射线衍射仪（X-ray dif......
为了代替化石能源,新型能源及能源转化储存器件引发了研究热潮。其中,太阳能电池得到了极大发展,在染料敏化太阳能电池(DSSC)的基......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料，室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，远高于其他宽禁带半导体材料，也高于室温下的热运......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导......
采用基于密度泛函理论（Density functional theory）的计算方法,研究了n=4,6,9的锯齿型（n,0）ZnO单壁纳米管的电子结构,结果表明：锯齿型Zn......
采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱（PL）显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射（UV NBE）从纯ZnO......
采用基于密度泛函理论的计算方法,系列的研究了锯齿型（9,0）ZnO单壁纳米管、Li,N分别掺杂以及Li-2N共掺杂的ZnO纳米管的能带结构、总......
运用以密度泛函理论为基础的第一性原理计算方法,研究了N-M（In,Ga,Al）共掺（6,6）型闭口氧化锌（ZnO）单壁纳米管的结构稳定性和场致发射特性......
ZnO是一种直接带隙的半导体材料,室温下带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。ZnO纳米结构,由于在未来光电子器件方面的广阔应......
氧化锌(ZnO)，作为一种重要的宽禁带半导体材料，具有优良的光电性能，目前已被广泛地研究应用到发光二极管、光伏电池、激光等光电领域......
