近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这......

根据反型层模型,对n-Ge中的反常伏安特性进行了定量计算,得到了与实验一致的结果....

以石墨烯（GE）和杂氮石墨烯（N-GE）为载体,分别以浸渍法（记为im-）和沉淀-沉积法（记为dp-）将金属Pd均匀的分散到载体上得到催化剂im-Pd/GE,dp-......