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NH-MBE技术相关论文
NH-MBE生长高质量GaN电子材料
利用改造的国产GSMBE系统和NH-MBE技术,在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料,其室温电子迁移率达300cm/Vs,相应的背景电子浓度为2x1......
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NH-MBE技术
GaN电子材料
C面蓝宝石
电子迁移率
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