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77KFowler-Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究
本文研究77K下薄栅NMOSFET在F-N均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性.发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷,使阈值电压下降;而栅边缘氧化层对......
期刊
电子注入
栅氧化层
KFowler
Nordheim
阈值电压
电流驱动能力
深能级
器件特性
栅介质
界面态
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